特許

J-GLOBAL ID：200903091646838372

ネガ型レジスト組成物

発明者： 安波 昭一郎 ,  阿出川 豊
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-133193
公開番号（公開出願番号）：特開2004-334106
出願日： 2003年05月12日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】高エネルギー線、特に電子線、X線、あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、マイクロブリッジ低減を同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】(B) 酸の作用によりフェノール性水酸基を有する化合物と架橋する架橋剤、(C)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、(D)分子内に7〜15個のベンゼン環を有するフェノール化合物を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

(B)酸の作用によりフェノール性水酸基を有する化合物と架橋する架橋剤、 (C)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、 (D)分子内に7〜15個のベンゼン環を有するフェノール化合物 を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。

IPC (3件)：

G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  H01L21/027

FI (3件)：

G03F7/004 501 ,  G03F7/038 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (17件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB45 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17