特許

J-GLOBAL ID：200903091647516980

半導体装置及びその製造方法

発明者： 市川 勉
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-221582
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064359
出願日： 1995年08月30日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】基板表面のトレンチにゲート電極が埋め込まれて形成され、ソース・ドレイン拡散層が前記ゲート電極の側部に位置する絶縁層を介してゲート電極の側方に形成してある、いわゆる積み上げ拡散層型の半導体装置において、ドレイン近傍における高電界を緩和してホットキャリア耐性が向上した半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ソース・ドレイン拡散層13の高濃度不純物領域13aが低濃度不純物領域13bを介してチャネル領域と接続した構造とする。これを実現するために、ゲート電極31とこのゲート電極31の側方の基板にソース・ドレイン低濃度拡散領域13bとを形成する工程と、ゲート電極31の上にこのゲート電極31より幅広でソース・ドレイン低濃度拡散層と重なりを持ったひさし体32を形成する工程と、ひさし体32をマスクとしてソース・ドレイン拡散層の高濃度不純物領域13aをイオン注入する工程で製造する。

請求項（抜粋）：

基板表面のトレンチにゲート電極が埋め込まれて形成され、ソース・ドレイン拡散層が前記ゲート電極の側部に位置する絶縁層を介してゲート電極の側方に形成してある半導体装置において、ソース・ドレイン拡散層の高濃度不純物領域が低濃度不純物領域を介してチャネル領域と接続した構造を有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265

FI (4件)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 21/265 V ,  H01L 29/78 301 V ,  H01L 29/78 301 P