特許

J-GLOBAL ID：200903091649496642

圧力センサの製造方法

発明者： 古田 一吉
出願人/特許権者： セイコー電子工業株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-014259
公開番号（公開出願番号）：特開平5-203519
出願日： 1992年01月29日
公開日（公表日）： 1993年08月10日
要約：

【要約】【目的】 エッチング中にウエハが破損しないようにする。【構成】 半導体圧力センサの製造において、シリコン基板上のパッドの部分に対向するガラス基板に溝を入れ、シリコンウエハと陽極接合し、さらにエッチングを行った後、ガラス基板側から溝の部分のガラスを除去し、パッドを露出される。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の一部分を肉薄状態のいわゆるダイアフラム構造とし、圧力変化を該ダイアフラムのたわみ量として検出し、このたわみ量を電気信号に変換する半導体圧力センサにおいて、シリコン基板上の電極パッドの部分に対向するガラス基板に溝入れ加工をし、前記ガラス基板の溝入れ加工側を基準室形成のためのエッチングを施したシリコンウエハのエッチング側に合わせて接合した後、ダイアフラム形成のためのエッチングを行うと共に、ガラス側から該溝の部分をカッティングすることを特徴とする圧力センサの製造方法。