特許
J-GLOBAL ID：200903091652456627
基板処理方法および基板処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
間宮 武雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-075910
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273069
出願日： 2002年03月19日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】【課題】 高誘電体材料で形成された薄膜を選択的にエッチングすることができる方法を提供する。【解決手段】 ウエハ1を熱濃硫酸12中に浸漬させ、ウエハ上に形成された高誘電体薄膜を成す金属酸化物と硫酸とを反応させて硫酸金属塩を生成させ、続いて、ウエハを純水14中に浸漬させ、硫酸金属塩を純水で溶解させてウエハ上から除去する。この際、ウエハ上に形成されたポリシリコン薄膜は硫酸と反応しないので、高誘電体薄膜だけが選択的にエッチングされる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された金属酸化物から成る高誘電体薄膜をエッチングする基板処理方法において、基板に対して硫酸を供給し、前記高誘電体薄膜を成す金属酸化物と硫酸とを反応させて硫酸金属塩を生成させる工程と、基板に対して純水を供給し、前記硫酸金属塩を純水で溶解させて基板上から除去する工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/306 D
, H01L 29/62
, H01L 21/306 J
4M104AA01
, 4M104BB01
, 4M104CC05
, 4M104EE03
, 4M104EE16
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 5F043AA37
, 5F043BB25
, 5F043DD15
, 5F043DD23
, 5F043EE02
, 5F043GG10
