特許
J-GLOBAL ID：200903091653327413
窒化物化合物半導体層の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-240343
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092749
出願日： 1996年09月11日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】 表面モフォロジーに優れるIII 族窒化物化合物半導体層の形成方法を提供する。【解決手段】 熱伝導率を異にする気体から構成される水素-アルゴンなどの成長雰囲気内での窒化物化合物半導体の形成方法にあって、成長雰囲気を構成する気体の体積混合比率を目標とする層厚等に関連させて与えられる初期値より、層厚の増加と共に経時的に減少させる。
請求項（抜粋）：
水素と不活性元素ガスの混合気体から構成される成長雰囲気内で窒化物化合物半導体層を形成する方法にあって、水素の体積(V0 )に対する、不活性元素ガスの体積(V)の比率(V/V0 )を窒化物化合物半導体層の成長層厚の増加に伴い減少させることを特徴とする窒化物化合物半導体層の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, H01L 33/00 C
