超電導素子及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西野卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-336896
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183208
出願日： 1991年12月19日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】本発明は、希土類酸化物超電導体のその粒子界面に高抵抗材料を介在させることにより、超高周波帯の電磁波を検出するセンサーとして好適な高い粒子間抵抗値を示す超電導素子及びその製造方法、あるいは、粒界における酸素欠損等による素子の劣化を防止する超電導素子及びその製造方法を提供する。【構成】超電導素子を形成する希土類元素系酸化物超電導体粒子5間に、次の条件1)、2)、3)を満たす材料を含む粒界層6を介在させたこと、あるいは、薄膜素子の劣化の原因となる個所を次の条件1)、3)を満たす材料からなる高抵抗膜で覆うこと、を特徴とする超電導素子及びその製造方法である。1)超電導体粒子に酸素を供給するか、若しくは超電導体粒子から酸素を奪取しないこと、2)融点が上記希土類元素系酸化物超電導体のそれより低いこと、3)電気伝導度が上記希土類元素系酸化物超電導体のそれより低いこと。

請求項（抜粋）：

希土類元素系酸化物超電導体粒子間の粒界に高抵抗材料からなる粒界層を介在させた超電導素子であって、該高抵抗材料のうち少なくとも一つが下記条件を満たす材料にて構成されたことを特徴とする超電導素子、1)超電導体粒子に酸素を供給するか、若しくは超電導体粒子から酸素を奪取しないこと、2)融点が上記希土類元素系酸化物超電導体のそれより低いこと、3)電気伝導度が上記希土類元素系酸化物超電導体のそれより低いこと。

IPC (8件)：

H01L 39/24 ZAA , C01G 1/00 , C01G 3/00 ZAA , C04B 35/00 ZAA , C23C 14/06 , C23C 14/08 , H01B 12/06 ZAA , H01L 39/22 ZAA

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平1-215007
特開平2-192402
特開昭64-010676

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