特許

J-GLOBAL ID：200903091656819490

シリコン系発光受光素子およびその製造方法およびシリコン系光電気集積回路およびシリコン系光電気集積回路システム

発明者： 齊藤 晶 ,  宇田 啓一郎
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-194702
公開番号（公開出願番号）：特開2003-008054
出願日： 2001年06月27日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】 シリコン系集積回路における光配線を実現するための半導体発光/受光素子と光導波路を提供する。【解決手段】 このシリコン系発光受光素子は、酸化膜層11上のSOI層12と真性シリコン・エピタキシャル層16とがなす第2のシリコン結晶層の中に、ゲルマニウムからなる微粒子15を有するから、量子サイズ効果を利用した効率の良い発光受光素子となるとともに、この微粒子15が発光する光は、上記第2のシリコン結晶層と酸化膜層11との界面と、酸化膜層11と反対側の第2のシリコン結晶層の界面との間に閉じ込められる。これにより、上記第2のシリコン結晶層内へ光を効率良く伝播させることができる。

請求項（抜粋）：

第1のシリコン結晶層と、上記第1のシリコン結晶層上の酸化膜層と、上記酸化膜層上の第2のシリコン結晶層とが構成するシリコンオンインシュレータ構造を有する基板を備え、上記第2のシリコン結晶層は、半導体からなる微粒子を有することを特徴とするシリコン系発光受光素子。

IPC (3件)：

H01L 31/12 ,  G02B 6/42 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 31/12 J ,  G02B 6/42 ,  H01L 33/00 A

Fターム (25件)：

2H037AA01 ,  2H037BA02 ,  2H037BA11 ,  2H037DA04 ,  2H037DA06 ,  2H037DA12 ,  2H037DA16 ,  5F041CA05 ,  5F041CA08 ,  5F041CA33 ,  5F041CA57 ,  5F041CA71 ,  5F041CA74 ,  5F041CB32 ,  5F041CB33 ,  5F041EE01 ,  5F041FF16 ,  5F089AA06 ,  5F089AB03 ,  5F089AB15 ,  5F089AC02 ,  5F089AC05 ,  5F089AC16 ,  5F089CA03 ,  5F089DA02