特許
J-GLOBAL ID：200903091659430461
不揮発性記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-209507
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048116
出願日： 1991年08月21日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】MNOS等のトラップ型半導体メモリを用いたLSI回路において、1トランジスタ/1セル構造にすることによって半導体記憶装置の集積度を向上させる。【構成】p形シリコンウエル15内にドレイン9およびソース11を形成することによってチャンネル領域13が形成される。チャンネル領域13の上面には薄いシリコン酸化膜7が形成され、さらにその上面にSiN膜5が形成される。さらにその上面にはポリシリコン膜3が形成される。この様な不揮発性半導体メモリセル2において、チャンネル領域13の表面にp形不純物を打込むことによって、p形高濃度領域17を形成したことを特徴としている。ポリシリコン膜3とチャンネル領域13間にプログラミング電圧を印加し、SiN膜5に電子をトラップすることによって情報を記録する。
請求項（抜粋）：
第一導電型の半導体領域と、前記半導体領域内に形成された第二導電型の少なくとも一対の拡散領域と、前記半導体基板上に形成された複数の絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された制御電極と、を備えた半導体記憶装置において、少なくとも一対の拡散領域間の表面を第一導電型高濃度領域に形成したことを特徴とする不揮発性記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
