特許

J-GLOBAL ID：200903091663974840

ヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッド及びヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法

発明者： 佐藤 善顕
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-016932
公開番号（公開出願番号）：特開2001-209913
出願日： 2000年01月26日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】 磁気テープ等からの信号読出しに用いられるヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法に関する。【解決手段】 軟磁性膜よりなるヨークの一部に磁気抵抗効果素子を配してなる磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法において、前記磁気抵抗効果素子部分の形成方法として、感磁部分に縦バイアス磁界を印加して単磁区化し、バルクハウゼンノイズを抑制するための硬質磁性層10を形成した後、前記硬質磁性層の上に所定の膜厚を有する第1の非磁性絶縁層20を形成し、前記第1の非磁性絶縁層の上に前記磁気抵抗効果素子30を形成した後、前記硬質磁性層部分まで一括パターニングを行ない、続けて所定の膜厚を有する第2の非磁性絶縁層40を前記磁気抵抗効果素子30、硬質磁性層10の各端部が被覆されるように形成し、前記磁気抵抗効果素子の上の両端部に電極膜50を形成し、前記磁気抵抗効果素子のみに電流が流れるようにして感度を向上させた。

請求項（抜粋）：

軟磁性膜よりなるヨークの一部に巨大磁気抵抗効果素子を配してなる磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法において、前記巨大磁気抵抗効果素子部分の形成方法として、感磁部分に縦バイアス磁界を印加して単磁区化し、バルクハウゼンノイズを抑制するための硬質磁性層を形成した後、前記硬質磁性層の上に所定の膜厚を有する第1の非磁性絶縁層を形成し、前記第1の非磁性絶縁層の上に前記巨大磁気抵抗効果素子を形成した後、前記硬質磁性層部分まで一括パターニングを行ない、続けて所定の膜厚を有する第2の非磁性絶縁層を前記巨大磁気抵抗効果素子及び前記硬質磁性層の各端部が被覆されるように形成し、前記第2の非磁性絶縁層形成後に、前記磁気抵抗効果素子の上の両端部に電極膜を形成し、前記電極膜と前記硬質磁性層とを完全に絶縁するようにして、前記巨大磁気抵抗効果素子のみにセンス電流が流れるようにしたことを特徴とするヨークタイプ磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。

Fターム (8件)：

5D034AA02 ,  5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034BA18 ,  5D034BB02 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07