特許
J-GLOBAL ID：200903091671071060
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-234753
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074740
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】本発明は、再現性の良いエッチングを行うことができる半導体装置の製造方法に関し、再現性良く、かつ精度の高い導電体膜や絶縁膜のエッチングを迅速に行うことができる半導体装置の製造方法の提供を目的とする。【構成】ウエハ17の裏面に形成されている第1の膜21を除去した後、前記ウエハ17の表面上の第2の膜20をドライエッチングすることを含み構成する。
請求項（抜粋）：
ウエハの裏面に形成されている第1の膜をドライエッチングする第1のエッチング処理室と、前記ウエハの表面に形成されている第2の膜をドライエッチングする第2のエッチング処理室と、前記第1のエッチング処理室及び前記第2のエッチング処理室がともに連接されている圧力調整室とを有することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H01L 21/02
