特許

J-GLOBAL ID：200903091674305266

光半導体デバイス

発明者： 船岡 千洋 ,  園田 純一
出願人/特許権者： スタンレー電気株式会社
代理人 (1件)： 平山 一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-332086
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193279
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 簡単な構成により、低コストで製造し得ると共に、外部への光の取出し効率を向上せしめるようにした、光半導体デバイスを提供する。【構成】 半導体基板11上に形成された光半導体チップ12と、光半導体チップ12の表面中央付近に形成した電極13と、半導体基板11の下面に形成した裏電極14とを含み、上記電極13の下面の一部に、電気絶縁層15を設けることにより光半導体デバイス10を構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された光半導体チップと、該光半導体チップの表面中央付近に形成された電極と、上記半導体基板の下面に形成された裏電極とを含んでいる光半導体デバイスにおいて、上記電極の下面の一部に、電気絶縁層が設けられていることを特徴とする、光半導体デバイス。