特許
J-GLOBAL ID:200903091679876202

流体中の半導体ウエハを処理するプロセスおよび装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉村 暁秀 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-509976
公開番号(公開出願番号):特表平9-503099
出願日: 1994年09月22日
公開日(公表日): 1997年03月25日
要約:
【要約】半導体ウエハから有機物質を除去するプロセスと、ウエハの化学溶媒ドライ化プロセスとを提供する。前記ドライ化プロセスにおいて、下部水性層(152)および上部有機層(154)を有するバス中に浸漬されたウエハ(14)を、前記下部水性層から前記上部有機層を通して引き上げ、前記バスから取り除く。このプロセスを実行する装置も開示する。
請求項(抜粋):
水性リンスバス中に浸漬された1つまたはそれ以上の半導体ウエハのドライ化プロセスにおいて、 水より低い密度の有機ドライ化溶媒を前記バスに加えバス中に下部水性層と上部有機層とを形成し、前記ウエハが前記下部水性層に完全に浸漬されたままにすることと、 前記ウエハを前記下部水性層から前記上部有機層を通って引き上げることとを具えることを特徴とするプロセス。
IPC (4件):
H01L 21/304 341 ,  B08B 3/04 ,  B08B 3/08 ,  H01L 21/306
FI (5件):
H01L 21/304 341 T ,  B08B 3/04 B ,  B08B 3/08 Z ,  H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/306
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭64-069014
  • 特開昭63-023326

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