特許

J-GLOBAL ID：200903091680254509

プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置

発明者： 澤井 久晴 ,  吉福 良一 ,  古瀬 伯志 ,  中原 武彦 ,  平松 健司 ,  梅下 尚己 ,  勝田 浩誠 ,  藤本 勢二
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-009367
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208495
出願日： 1999年01月18日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 1つのRF電圧Vppの値に対し2つのマイクロ波電力の値が対応するようなプラズマ処理装置において処理の安定化を図る。【解決手段】 制御装置13dの中に相関曲線測定処理機構13fを設ける。相関曲線測定処理機構13fによりRF電圧検出器13aから受け取るRF電圧Vppの値から、マイクロ波電力とRF電圧Vppとの相関曲線を求める。相関曲線測定処理機構13fは、この相関曲線からマイクロ波電力の設定値を決定する。制御装置13dは、この設定値に基づいてマグネトロン1のマイクロ波電力を制御する。

請求項（抜粋）：

第1の高周波電力により発生させたプラズマを用いるとともに、当該プラズマの発生とは独立に第2の高周波電力を印加した試料台に試料を保持して、当該試料の処理を行うプラズマ処理方法において、前記第2の高周波電力を固定して前記第1の高周波電力を変化させる工程と、前記第1の高周波電力の変化に応じて変化する前記プラズマのプラズマポテンシャルを検出する工程と、前記第1の高周波電力と前記プラズマポテンシャルとの間の関係を示す相関曲線を求め、当該相関曲線から前記試料の処理に用いる前記第1の高周波電力の設定値を決定する工程と、前記第1の高周波電力を前記設定値に固定して前記試料を処理する工程とを備えるプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 B ,  H05H 1/46 L

Fターム (21件)：

4K057DA16 ,  4K057DA20 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DG15 ,  4K057DM22 ,  4K057DM23 ,  4K057DM28 ,  4K057DM29 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA00 ,  5F004BA14 ,  5F004BA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004CA06 ,  5F004CB05 ,  5F004DB01 ,  5F004DB02