特許

J-GLOBAL ID：200903091685357276

磁気抵抗効果素子とその製造方法、及び磁気抵抗効果型磁気ヘッドとその製造方法、並びに磁気記録再生装置

発明者： 前坂 明弘
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-160978
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345494
出願日： 2000年05月30日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】 耐食性、熱安定性、耐ESD特性に優れ、且つ良好な磁気抵抗比dR/Rを有する磁気抵抗効果素子とその製造方法、及び磁気抵抗効果型磁気ヘッドとその製造方法、並びに磁気記録再生装置を提供することを目的とする。【解決手段】 基板2上に面心正方晶の結晶構造を有する反強磁性材料からなる反強磁性層9と、ピン層11と、スペーサ層5と、フリー層4とを備え、上記ピン層11は、反強磁性層9と当接する第1の強磁性層8と、非磁性層7と、第2の強磁性層6とが積層されてなり、上記各層のうち、上記反強磁性層9の結晶粒径と、上記第1の強磁性層8の結晶粒径と、上記非磁性層7の結晶粒径のみが50nm以下である。

請求項（抜粋）：

基板上に面心正方晶の結晶構造を有する反強磁性材料からなる反強磁性層と、ピン層と、スペーサ層と、フリー層とを備え、上記ピン層は、反強磁性層と当接する第1の強磁性層と、非磁性層と、第2の強磁性層とが積層されてなり、上記各層のうち、上記反強磁性層の結晶粒径と、上記第1の強磁性層の結晶粒径と、上記第1の非磁性層の結晶粒径のみが50nm以下であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (6件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/12

FI (6件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R

Fターム (18件)：

2G017AB04 ,  2G017AB05 ,  2G017AD55 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034CA07 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049GC01