半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-296902
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206268
出願日： 1991年11月13日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】半導体ウェハーから個々のぺレットに分離し、ガラス板からはずす際、ペレットがバラバラに重なっても、ペレットどうしが傷つけあう事を防止する。【構成】ペレットの4つの隅部(コーナー)を曲率半径20μm〜100μmの円弧状にする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の裏面の全面に金属層が形成されており表面にIC、トランジスタ等が形成されている半導体装置に於て、前記半導体基板の4つの隅部の形状は曲率半径が20μm〜100μmの円弧状となっている事を特徴する半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/78 , H01L 21/02

引用特許：

審査官引用 (3件)

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