特許
J-GLOBAL ID:200903091692270577

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大胡 典夫 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-202484
公開番号(公開出願番号):特開2002-026070
出願日: 2000年07月04日
公開日(公表日): 2002年01月25日
要約:
【要約】【課題】 配線基板にベアチップICを実装して製造する半導体装置で、簡便な工程で生産性の高い半導体装置の製造方法と、それによる半導体装置を提供すること。【解決手段】 配線基板1の電極2a、2b、2c...2dに異方性導電材を介してICチップの電極が接合されている半導体装置で、異方性導電材7、7aには、絶縁樹脂5の中に溶融形導電粒子6a、6b、6c...6を分散させる。
請求項(抜粋):
配線基板の電極に異方性導電材を介してICチップの電極が接合されている半導体装置において、前記異方性導電材は、絶縁樹脂の中に前記絶縁樹脂の硬化反応温度よりも高い融点を有する溶融形導電粒子が分散されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 21/60 311 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (2件):
H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/30 R
Fターム (8件):
4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA04 ,  4M109EB11 ,  5F044KK01 ,  5F044LL05 ,  5F044LL09 ,  5F044QQ01

前のページに戻る