記憶装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：角田芳末 , 磯山弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-192262
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026576
出願日： 2003年07月04日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：

【課題】情報の書き込みが行われた後の記憶素子の抵抗値が、必要以上に低い値になることを防止し、情報の書き込みを容易に行える記憶装置を提供する。【解決手段】記憶素子5と、記憶素子5へのアクセスを制御するMOS型のトランジスタからなる能動素子6とを有する記憶セル2が複数配置され、記憶素子5に、電圧が印加されることにより、記憶素子5の抵抗値が変化して、情報の記録が行われる構成の記憶装置であって、記憶素子5の抵抗値が低い状態から高い状態に変化する記録動作を、情報の消去と定義したとき、書き込みが行われた情報の消去を行う際に、記憶セル2に印加される電圧をVeとし、能動素子6のゲートに印加される電圧をVgとし、情報の消去を行う際に必要となる最低限の電圧をVtとし、能動素子6がオン状態で、能動素子6のソース・ドレイン間の電圧Vに対して、能動素子6に流れるドレイン電流を関数{I(Vg,V)}で表すとすると、情報の書き込みが行われた後の記憶素子5の抵抗値Rは、R≧Vt/{I(Vg,Ve-Vt)}の関係を満たすようにする。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

記憶素子と、前記記憶素子へのアクセスを制御するMOS型のトランジスタからなる能動素子とを有する記憶セルが複数配置され、前記記憶素子に、電圧が印加されることにより、前記記憶素子の抵抗値が変化して、情報の記録が行われる構成の記憶装置であって、前記記憶素子の抵抗値が高い状態から低い状態に変化する記録動作を、情報の書き込みと定義し、前記記憶素子の抵抗値が低い状態から高い状態に変化する記録動作を、情報の消去と定義したとき、前記書き込みが行われた情報の消去を行う際に、前記記憶セルに印加される電圧をVeとし、前記能動素子のゲートに印加される電圧をVgとし、前記情報の消去を行う際に必要となる最低限の電圧をVtとし、前記能動素子がオン状態で、前記能動素子のソース・ドレイン間の電圧Vに対して、前記能動素子に流れるドレイン電流を関数{I(Vg,V)}で表すとすると、前記情報の書き込みが行われた後の前記記憶素子の抵抗値Rは、 R≧Vt/{I(Vg,Ve-Vt)} の関係を満たすことを特徴とする記憶装置。

IPC (2件)：

H01L27/10 , G11C13/00

FI (2件)：

H01L27/10 451 , G11C13/00 A

Fターム (9件)：

5F083FZ10 , 5F083GA01 , 5F083GA09 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083LA03 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083ZA20

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