多結晶半導体膜の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鳥居洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-154133
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342763
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】この発明は、より結晶粒径の大きな多結晶半導体膜が得られる形成方法を提供することを目的とする。【構成】基板1上に非晶質半導体膜2を形成した後、熱処理を施して非晶質半導体膜2の再結晶化を行って多結晶半導体膜を形成する多結晶半導体膜の形成方法であって、非晶質半導体膜2上に、上記熱処理温度にて収縮する熱収縮膜3を設ける。

請求項（抜粋）：

基板上に非晶質半導体膜を形成した後、熱処理を施して上記非晶質半導体膜の再結晶化を行って多結晶半導体膜を形成する多結晶半導体膜の形成方法であって、上記非晶質半導体膜上または上記基板と非晶質半導体膜との間に上記熱処理温度にて収縮する熱収縮膜を設けることを特徴とする多結晶半導体膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-177736
特開平4-177736
特開平4-252025

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