特許
J-GLOBAL ID:200903091703578730

イオンプレーティング装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-227842
公開番号(公開出願番号):特開2004-068070
出願日: 2002年08月05日
公開日(公表日): 2004年03月04日
要約:
【課題】蒸着物質の粒子が成膜室の側壁に衝突した後、反射して飛散する現象等を軽減することができるイオンプレーティング装置を提供する。【解決手段】イオンプレーティング装置10は、プラズマによって真空容器12の下部に設けたハース16aに配置した蒸着材料22を蒸発、イオン化させて、ハース16aと対向して真空容器12の上部に配置した基板Wに蒸着材料22の粒子を付着させて成膜する。真空容器12の側壁にフィン部材19を設ける。フィン部材19の突出角度θ1は、フィン部材19のハース16aの方向に向いた面19aがハース16aを臨み、かつ基板Wを臨まない姿勢となる角度に設定されており、また、フィン部材19が取り付けられた真空容器12の側壁の部分は、その側壁の部分の上方に設けられたフィン部材19に遮られることよって、基板Wを臨まない位置にある。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
プラズマガンで生成したプラズマによって成膜室の下部に設けたハースに配置した蒸着材料を蒸発、イオン化させて、該ハースと対向して該成膜室の上部に配置した基板に該蒸着材料の粒子を付着させて成膜するイオンプレーティング装置において、 該成膜室の側壁の該ハースと該基板との間の部位に、飛来した蒸着材料の粒子を捕捉する捕捉部材を設け、 該捕捉部材は、該成膜室の内側に向けた面が凹凸状に形成されてなることを特徴とするイオンプレーティング装置。
IPC (1件):
C23C14/00
FI (1件):
C23C14/00 B
Fターム (3件):
4K029CA03 ,  4K029DA09 ,  4K029DD05

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