特許

J-GLOBAL ID：200903091708737799

SiC単結晶成長用種結晶及びこれを用いたSiC単結晶の製造方法

発明者： 巽 宏平 ,  星野 泰三 ,  藤本 辰雄 ,  勝野 正和 ,  大谷 昇 ,  中林 正史 ,  柘植 弘志 ,  平野 芳生 ,  矢代 弘克
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (4件)： 成瀬 勝夫 ,  中村 智廣 ,  鳥野 正司 ,  佐々木 一也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-299037
公開番号（公開出願番号）：特開2008-115036
出願日： 2006年11月02日
公開日（公表日）： 2008年05月22日
要約：

【課題】デバイスの歩留まり、安定性を高めるための、高品質SiC単結晶基板、高品質SiC単結晶基板製造用種結晶並びに高品質のSiC単結晶基板の製造方法を提供する。【解決手段】種結晶表面の転位の表面終端部に、最大径が3μm以上のエッチピットを形成する。種結晶のポリタイプは4H型又は6H型、形状は実質的に円板とし、直径が50mm超で、厚みが0.6mm以上とする。その面方位は、{0001}、または、{0001}から0.5°以上10°以内の角度を有するSiC単結晶成長用種結晶、該SiC単結晶の製造方法、SiC単結晶基板。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

種結晶表面の転位の表面終端部にエッチピットを形成してなることを特徴とするSiC単結晶成長用種結晶。

IPC (1件)：

C30B 29/36

FI (1件)：

C30B29/36 A

Fターム (13件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EB01 ,  4G077ED01 ,  4G077ED02 ,  4G077GA02 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01

引用特許：

出願人引用 (3件)

• SiC単結晶およびその成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-098148   出願人：新日本製鐵株式会社
• SiC単結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-286956   出願人：新日本製鐵株式会社
• SiC単結晶及びその製造方法並びにSiC種結晶及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-315367   出願人：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー

審査官引用 (2件)

• 単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-199403   出願人：トヨタ自動車株式会社
• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-157847   出願人：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Basal plane dislocation-free epitaxy of silicon carbide