特許

J-GLOBAL ID：200903091708903800

MOS型半導体記憶装置の製造方法

発明者： 白井 浩樹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-276148
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090604
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】 不揮発性半導体記憶装置特に電気的に書き込み消去可能な読み出し専用記憶装置で、低温の熱処理でもソースの接合耐圧を上げる。【構成】 ゲート電極6を形成した後、ソース領域11のみ選択的にリンイオン9を基板の法線に対して30度から60度の角度で注入し、その後ヒ素イオン13を全面に注入し、900度以下の熱処理で、ソースを形成する。【効果】 900度以下の熱処理でも、ソースでの接合耐圧が十分に得られ、消去動作時にアバランシェブレークダウンが抑制され、かつ熱処理による第1ゲート絶縁膜の劣化が抑制できる。

請求項（抜粋）：

P型半導体基板に、第1ゲート絶縁膜、浮遊ゲート電極、第2ゲート絶縁膜、制御ゲート電極を順次積層し、構成されたゲート電極を形成する工程と、前記半導体基板上のゲート電極に隣接した片側のソース領域のみ選択的にリンイオンを前記半導体基板の法線に対して30度から60度の角度で注入し、その後ヒ素イオンを注入し、900°C以下の熱処理で、第2n型拡散層を形成する工程を含む事を特徴とするMOS型不揮発性半導体記憶装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平2-128477
  
• 特開平2-002686
  
• 特開平3-204940
  
• 特開平2-295169
  
• 特開平1-307266