特許
J-GLOBAL ID：200903091710760773
ラム波デバイス
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-218210
公開番号（公開出願番号）：特開平7-055680
出願日： 1993年08月10日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 ラム波デバイスにおいて、溶液のインピーダンス変化の影響を受けず、ラム波デバイス全体を溶液に浸すことができるようにする。【構成】 シリコン基板1、圧電膜2、櫛歯電極3、絶縁膜4および平板電極5からなり、櫛歯電極3の上に圧電膜2が形成され、それらが絶縁膜4と平板電極5で両側から挟まれたサンドイッチ構造とする。櫛歯電極3は圧電膜2に電圧を加え、ラム波を励起する。平板電極5があるため、圧電膜はインピーダンス変化の影響を受けない。
請求項（抜粋）：
櫛歯電極上に圧電膜が形成され、かつ前記櫛歯電極および前記圧電膜を両側から挟む2つの平板電極が形成されてなることを特徴とするラム波デバイス。
IPC (2件)：
引用特許：
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