特許

J-GLOBAL ID：200903091712037009

半導体量子ドット装置及びその使用方法

発明者： 今村 健一 ,  中田 義昭 ,  杉山 芳弘
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-268176
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116169
出願日： 1995年10月17日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】 半導体量子ドット装置及びその使用方法に関し、縦方向のInAs量子ドット列を利用した感磁性素子等の具体的な半導体量子ドット装置の構造及びその使用方法を提供する。【解決手段】 縦方向に積層された量子ドット列を構成する量子ドット6間のキャリア10の移動を磁場により制御する。

請求項（抜粋）：

縦方向に積層された量子ドット列を構成する量子ドット間のキャリアの移動を、磁場により制御することを特徴とする半導体量子ドット装置。

IPC (3件)：

H01L 29/82 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/68

FI (3件)：

H01L 29/82 Z ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/68