特許
J-GLOBAL ID:200903091713156273
撮像装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山下 穣平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-061577
公開番号(公開出願番号):特開2000-260971
出願日: 1999年03月09日
公開日(公表日): 2000年09月22日
要約:
【要約】【課題】 微細化CMOSセンサーに適したオーバーフロードレイン構造を得る。【解決手段】 光電変換素子13と光電変換素子13からの過剰な電荷を排除する横型オーバーフロードレイン12とを有する撮像装置において、オーバーフロードレイン12は光電変換素子13の少なくとも2方を取囲む拡散層配線である。
請求項(抜粋):
光電変換素子と該光電変換素子からの過剰な電荷を排除する横型オーバーフロードレインとを有する撮像装置において、前記オーバーフロードレインは前記光電変換素子の少なくとも2方を取囲む拡散層配線であることを特徴とする撮像装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 27/14 A
, H04N 5/335 E
Fターム (14件):
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118DD12
, 4M118FA06
, 4M118FA14
, 4M118FA19
, 5C024AA01
, 5C024CA02
, 5C024FA01
, 5C024FA11
, 5C024GA31
, 5C024GA43
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