特許

J-GLOBAL ID：200903091713735745

光導波路型光素子

発明者： 山田 光志 ,  村井 仁 ,  小川 洋
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-302199
公開番号（公開出願番号）：特開平8-160234
出願日： 1994年12月06日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】 偏波依存性の小さい光導波路型光素子を提供すること。【構成】 n-InP半導体基板10上に、順にn-InPクラッド層(20a および20b )、アンドープトInGaAsP光導波路層30、アンドープトInP拡散防止層40、P-InPクラッド層50、p+ -InGaAsコンタクト層60が積層されている。そして、光導波路層側n-InPクラッド層20b、等方性の半導体結晶である厚さが約0.25μmのアンドープトInGaAsP光導波路層30、厚さが約0.1μmのアンドープトInP拡散防止層40、厚さが約2μmのp-InPコンタクト層50および厚さが約0.2μmのp+ -InGaAsコンタクト層60により幅3μm、深さ4〜5μmのリッジストライプ構造70が形成されている。そして、リッジストライプ構造70の両側は、絶縁性物質である低誘電率のポリイミド90で埋め込まれている。

請求項（抜粋）：

少なくとも基板と、該基板の上側の光導波路層と、該光導波路層の上側のクラッド層と、前記光導波路層の両側の埋め込み層とからなる光導波路型光素子において、前記光導波路層は等方性半導体結晶であり、前記埋め込み層は絶縁性物質であり、前記光導波路層の厚さは、前記光導波路層に平行な偏波を持つ光の前記光導波路層と垂直な方向についての光閉じ込め係数と、前記光導波路層に垂直な偏波を持つ光の前記光導波路層と垂直な方向についての光閉じ込め係数との差の絶対値が最大となる厚さより大きいことを特徴とする光導波路型光素子。

IPC (3件)：

G02B 6/122 ,  G02B 6/12 ,  G02F 1/35

FI (3件)：

G02B 6/12 A ,  G02B 6/12 H ,  G02B 6/12 N