特許
J-GLOBAL ID：200903091715706238
電界効果トランジスタ及びその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-158236
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037903
出願日： 1993年06月29日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 オーミック電極と素子間分離層及びゲート電極との位置合わせを自己整合的に行うことができる電界効果トランジスタの形成方法を提供すること。【構成】 オーミック電極形成途中の構造体66をマスクとして用いて、下地48に対してイオン注入を行って素子間分離層68を形成する。次に、オーミック電極形成途中の構造体66から、ゲート長方向となる方向に沿いかつ下地48の表面に垂直な断面での形状が逆テーパー形状である2つのオーミック電極70を、ゲート電極形成予定領域を挟んで離間して形成する。次に、オーミック電極70をマスクとして用いて、オーミック電極70同士の間隔をゲート長とするゲート電極82を形成する
請求項（抜粋）：
電界効果トランジスタを形成するにあたり、(a)表面に活性層を具えた下地上に設けられたオーミック電極の形成途中の構造体をマスクとして用いて、前記下地に対してイオン注入を行って素子間分離層を形成する工程と、(b)前記オーミック電極の形成途中の構造体から、ゲート長方向となる方向に沿いかつ前記下地の表面に垂直な断面での形状が逆テーパー形状である2つのオーミック電極を、ゲート電極形成予定領域を挟んで離間して形成する工程と、(c)2つの該オーミック電極をマスクとして用いて、当該オーミック電極同士に挟まれた領域の下地上に、当該オーミック電極同士の間隔をゲート長とするゲート電極を形成する工程とを含むことを特徴とする電界効果トランジスタの形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 21/28 301
, H01L 29/812
