特許
J-GLOBAL ID：200903091722981775
成膜方法及び半導体レーザの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-184933
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051252
出願日： 1994年08月05日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】 多層の化合物半導体層を選択的に成長する成膜方法に関し、化合物半導体層を選択成長する際に、成長速度の差によって成長層の端部が異常成長することを抑制する。【構成】 基板11上に間隔をおいて並行し、ソースガスの拡散長以下の幅を有する帯状の成長抑止膜12A,12Bをマスクとして、ソースガスにより化合物半導体層13Aを選択的に成長することを含む。
請求項（抜粋）：
基板上に間隔をおいて並行し、ソースガスの拡散長以下の幅を有する帯状の成長抑止膜をマスクとして、前記ソースガスにより化合物半導体層を選択的に成長することを特徴とする成膜方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, C23C 16/04
, H01L 21/205
