特許

J-GLOBAL ID：200903091723171572

光半導体装置及びその形成方法

発明者： 田淵 晴彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-216006
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066502
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】光半導体装置に関し、光能動素子と光導波路をモノリシックに形成するとともに、その光導波路の端面でのコア層の幅方向と厚み方向の光ピームの径を大きくすること。【構成】pn接合又はpin接合の半導体よりなる光能動素子35を含むとともに、前記光能動素子35の光入力部か出力部の少なくとも一方に一体的に形成され、かつ、前記光能動素子35から遠ざかるにつれて膜厚が薄くて幅が広いコア層20と、該コア層20を囲むクラッド層15,22とからなる導波路36を含む。

請求項（抜粋）：

中央部から端部にかけて膜厚が薄くなるコア層(20)と、該コア層(20)を囲むクラッド層(15, 22)とからなる光ビーム径変換導波路(36)を有することを特徴とする光半導体装置。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 27/15 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00