特許

J-GLOBAL ID：200903091727041355

多層セラミツク回路基板

発明者： 生田 貴紀 ,  入間川 裕
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-190020
公開番号（公開出願番号）：特開平5-037160
出願日： 1991年07月30日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】 内部配線間の基板絶縁抵抗を良好に維持し、且つ基板の反りがなく、内部配線の導通性が良好な多層セラミック回路基板を提供する。【構成】本発明は、貴金属、を主成分とする導体材料及びガラスフリットからなる導電性ペーストでビアホール及び内部配線を形成したセラミックグリートを複数積層し、低温焼成した多層セラミック回路基板において、前記導電性ペーストは、屈伏点が700〜845°Cで、かつ15mol%以下のB2 O3 を有するガラスフリットを含有している。

請求項（抜粋）：

貴金属を主成分とする導体材料とガラスフリットとからなる導電性ペーストでビアホール及び内部配線を形成し、セラミックグリートを複数積層し、850〜1050°Cで焼成した多層セラミック回路基板において、前記導電性ペーストは、屈伏点が700〜845°Cで、かつ15mol%以下のB2 O3 を有するガラスフリットを含有していることを特徴とする多層セラミック回路基板。

IPC (3件)：

H05K 3/46 ,  C04B 41/88 ,  H05K 1/09

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-018794
  
• 特開昭63-215559
  
• 特開平1-248589
  
• 特開平1-259597