特許
J-GLOBAL ID：200903091728137437
半導体センサ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 求馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-206071
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029555
出願日： 1992年07月09日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】 端子数が少なく、安価かつコンパクトな、トリミング回路内蔵の半導体センサ装置を提供する。【構成】 端子31には電源電圧とこれよりも電圧レベルの高いクロック信号が入力する。ロジック回路22は、端子33の一つの電圧レベルにおいて作動を開始して、端子32よりクロック信号に応じて入力する直列デジタル信号を並列のトリミングデータとして一時記憶する。そして、記憶したトリミングデータに基づいてゲージ回路11を作動せしめ、ゲージ出力を端子32に出力する。ロジック回路22は、端子33の他の電圧レベルにおいて、記憶されたトリミングデータに基づいてヒューズメモリ回路23をトリミングする。また、端子33のさらに他の電圧レベルにおいて、トリミング後のヒューズメモリ回路23のデータに基づいてゲージ回路11を作動せしめ、その出力信号を端子32に出力する。
請求項（抜粋）：
チップ内に内蔵された半導体センサと、該半導体センサの作動電圧をチップ内へ入力する第1端子と、上記半導体センサのセンサ信号をチップ外へ出力する第2端子と、上記作動電圧以上の電圧レベルでチップ内へ外部電圧を導入する第3端子とを具備し、かつ上記3つの端子のうち、いずれかの端子の一つの電圧レベルにおいて作動を開始して、上記3つの端子のいずれかより入力する直列デジタル信号を並列のトリミングデータとして一時記憶する補助メモリ手段と、上記一つの電圧レベルにおいて、上記補助メモリ手段に記憶されたトリミングデータに基づいて上記半導体センサを作動せしめ、センサ信号を上記第2端子に出力する補助測定手段と、上記第3端子の他の電圧レベルにおいて、上記補助メモリ手段に記憶されたトリミングデータに基づいて主メモリ手段をトリミングするトリミング手段と、上記第3端子のさらに他の電圧レベルにおいて、トリミングされた上記主メモリ手段に記憶されたデータに基づいて上記半導体センサを作動せしめ、センサ信号を上記第2端子に出力する主測定手段とを具備する半導体センサ装置。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
, H01L 27/04
