特許

J-GLOBAL ID：200903091728522675

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 加藤 久喜 ,  橋本 雅文
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-125026
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314823
出願日： 1993年04月28日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【目的】 高輝度・高信頼性を有するGaN 系化合物半導体の発光ダイオード及びその製造方法を提供すること。【構成】 n層上のi層は、低不純物濃度iL 層5と高不純物濃度iH 層6とが形成された二重層構造を有する。上記高不純物濃度iH 層6の結晶表面には大小様々なピット(孔)部分6aが生じる。このピット部分6aに陽極酸化により絶縁膜9が形成される。このため、電極7から流す電流がピット部分6aに集中することがなくなり、発光ダイオード10はi層の局所的な破壊に基づく輝度劣化が防止される。即ち、本発明の発光ダイオードは高輝度・高信頼性を有したものとなる。

請求項（抜粋）：

n型の窒化ガリウム系化合物半導体(InXAlYGa1-X-YN;X=0,Y=0を含む)から成るn層と、p型不純物を添加したi型の窒化ガリウム系化合物半導体(InXAlYGa1-X-YN;X=0,Y=0を含む)から成るi層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記i層の結晶表面の少なくともピット(孔)部分にのみ選択的に絶縁膜を有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302