特許
J-GLOBAL ID：200903091729882730
半導体記憶装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-110443
公開番号（公開出願番号）：特開2001-352045
出願日： 1992年07月01日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：
【要約】【目的】 不揮発性半導体記憶装置に用いられる強誘電体キャパシタの構造に関し、電界効果型トランジスタ等の能動素子の形成された同一基板上に、強誘電体膜を形成した信頼性の優れた強誘電体記憶装置を提供する。【構成】 能動素子の形成された基板上にSiO2膜、(100)配向Pt下部電極、(001)配向PZT膜が、順次この順序で形成されている。【効果】 PZT薄膜キャパシタの結晶の結晶構造と格子定数を本来バルクのPZTが持つ結晶構造と格子定数にすることにより、結晶内、特に電極界面でのPZTの歪を無くし、キャパシタにかける電界の極性を1015回繰り返してもスイッチング電荷量の減少を防ぐことができる。信頼性に優れた大容量半導体記憶装置が可能となる。
請求項（抜粋）：
能動素子の形成された半導体基板上に形成された非晶質膜と、前記非晶質膜上に形成された(100)配向下部電極と、前記下部電極上に形成された(001)配向のペロブスカイト結晶構造を有する酸化物誘電体膜と、前記酸化物誘電体膜上に形成された上部電極を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
Fターム (7件)：
5F083FR02
, 5F083GA21
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA38
, 5F083NA08
, 5F083PR22
