特許

J-GLOBAL ID：200903091731705373

撮像装置

発明者： 丸野 正 ,  岩瀬 富美雄
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-354841
公開番号（公開出願番号）：特開2001-169193
出願日： 1999年12月14日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】 良質な画像を得ることが可能な撮像装置を提供する。【解決手段】 EB-CCDは、電子の衝突による電子増倍によって半導体撮像領域1iで発生した電子を転送し、増幅器1toから画素信号を出力する撮像装置として知られている。本撮像装置においては、設定パラメータが所定の関係(A)又は(B)を有するので、従来では検出できなかった単一フォトンの二次元分布を検出することができる。

請求項（抜粋）：

エネルギー線の入射に応じて光電陰極で発生した電子を真空容器内において加速し、前記光電陰極に対向配置された半導体固体撮像素子の半導体撮像領域に衝突させ、この電子の衝突による電子増倍によって前記半導体撮像領域で発生した電子を転送して前記半導体固体撮像素子に設けられた増幅器に入力することによって前記増幅器から画素信号を出力する撮像装置において、前記光電陰極と前記半導体固体撮像素子との間に印加される加速電圧をVP(V)、前記増幅器から出力される画素信号の読み出し速度をfR(Hz)、前記増幅器から出力される画素信号の読み出し速度がfR0(Hz)の時に前記増幅器に入力されるノイズ電荷数の二乗平均平方根値をn0、前記電子増倍が起り始めるときの前記光電陰極と前記半導体固体撮像素子との間のしきい値電圧をVTH(V)、前記半導体撮像領域における電子正孔間結合エネルギーをE(eV)、としたとき、以下の関係を満たすことを特徴とする撮像装置。【数1】

IPC (4件)：

H04N 5/335 ,  H01J 29/45 ,  H01J 31/26 ,  H01L 27/14

FI (4件)：

H04N 5/335 Z ,  H01J 29/45 B ,  H01J 31/26 ,  H01L 27/14 K

Fターム (25件)：

4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA12 ,  4M118BA13 ,  4M118DA03 ,  4M118DB06 ,  4M118DB07 ,  4M118DC07 ,  4M118FA06 ,  4M118GA02 ,  4M118GA10 ,  5C024AX16 ,  5C024CX03 ,  5C024CX41 ,  5C024CY16 ,  5C024EX42 ,  5C024GY03 ,  5C024HX17 ,  5C024HX23 ,  5C024HX46 ,  5C024HX58 ,  5C024JX23 ,  5C037AA09 ,  5C037EE01 ,  5C037EE06