特許

J-GLOBAL ID：200903091732734393

SiNx/PSG積層構造の形成方法

発明者： 清田 久晴
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-296256
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115901
出願日： 1995年10月19日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板上にG積層構造を形成するに際し、CVD-SiO2 が局部的に増速成長しないように改良されたSiNx/PSG積層構造の形成方法を提供する。【解決手段】 本SiNx/PSG積層構造の形成方法は、先ず、リフロー酸化膜20の上にプラズマCVD法によりSiNx膜22を成膜する。次いで、SiNx膜22の表面に窒素プラズマ処理を施してSiNx膜22の表面を窒化する。SiNx膜22の内部の成分構成が変化することなく、その表面のみが窒化されて窒化層26が形成される。次いで、SiNx膜22上に常圧CVD装置を使用してPSG膜28を成膜する。本SiNx/PSG積層構造では、PSG膜28の膨らみ部30は、従来の膨らみ部に比べて遙に小さい。SiNx膜の表面窒化処理は、熱窒化処理によっても行うことができる。また、SiNx膜の表面窒化処理に代えて、洗浄による表面エッチング/酸化処理をSiNx膜表面に施しても良い。

請求項（抜粋）：

プラズマCVD法によりSiNx膜を成膜する工程と、PSG膜を成膜する工程とを有し、基板上に、順次、SiNx膜及びPSG膜を成膜してSiNx/PSG積層構造を形成する方法において、SiNx膜を成膜する工程に引き続き、PSG膜を成膜する工程の前に、SiNx膜の表面を窒化する工程を有することを特徴とするSiNx/PSG積層構造の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318

FI (3件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/318 B