特許
J-GLOBAL ID：200903091743355050
多結晶シリコン半導体,光起電力装置及び多結晶シリコン半導体の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-101268
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293619
出願日： 1995年04月25日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：
【要約】【目的】 粒界を除去することにより、粒界中のダングリングボンドに起因する機能低下を防止することが可能な多結晶シリコン半導体及びこれを用いた光起電力装置及び多結晶シリコン半導体の形成方法を提供すること。【構成】 基板3上の結晶粒2間の隙間に従来存在していた結晶粒界が略無くなっており、酸化粒界(SiO2 )1が僅かに残っている。多結晶シリコン半導体は、まず基板3上にPドープa-Si膜を形成し固相成長させ、酸素プラズマ中に晒すことにより酸化処理を行う。その後、硝酸,フッ酸及び水の混合液に浸漬すると、酸化粒界1がエッチングされる。酸化粒界1のエッチング量はエッチング時間によって制御することができる。
請求項（抜粋）：
結晶粒間の酸化された粒界の一部又は全てが除去されていることを特徴とする多結晶シリコン半導体。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 31/04 A
, H01L 21/306 D
, H01L 31/04 X
