特許
J-GLOBAL ID：200903091752305200
半導体デバイスのエツチング方法およびエツチング物質
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 保男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-269462
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102090
出願日： 1991年10月17日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 複数の層を持ち少なくともその1つが少なくとも約80重量%の金属を含有する物質から形成されている半導体デバイスの前記金属を含む物質から形成される層の不要な部分を食刻除去して所定のパターンを形成する半導体デバイスのエッチングにおいて、形成されるパターンの縦側壁が、基部が抉られて、負に傾斜するのを防止する。【構成】 水蒸気または窒素酸化物のどちらかとケイ素を含む化合物を含む被覆組成物と、単独で使用されたときは実際上負に傾斜した縦側壁を形成しながら前記金属を含みむ物質から形成される層を食刻する化学エッチング組成物を含むエッチング物質を使用することを特徴としている。
請求項（抜粋）：
所定の食刻パターンを形成するための半導体デバイスのエッチング方法であって、前記方法は、複数の層を持ち、該層の内の少なくとも1つが少なくとも約80重量%の金属を含有する物質から形成されている半導体デバイスを提供し、前記半導体デバイスをエッチング物質で食刻し、前記金属を含有する層に水平及び垂直な形態の側壁を有する所定パタ-ンを形成し、前記垂直な側壁のそれぞれはほぼ垂直かあるいはほぼ正の傾斜のいずれかの輪郭を有するようにし、前記エッチング物質は、水蒸気または窒素酸化物のどちらかとケイ素を含む化合物を含む被覆組成物と、化学エッチング組成物とを含み、前記化学エッチング組成物と被覆組成物は、半導体デバイスのエッチング処理中はほぼ気相状態にあり、そして前記化学エッチング組成物は単独で使用されたときはほぼ負に傾斜した側壁を形成しながら前記金属を含みむ物質から形成される層を食刻する化学エッチング組成物を含むようになっている、半導体デバイスのエッチング方法。
引用特許：
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