特許

J-GLOBAL ID：200903091754938421

磁気抵抗素子

発明者： 塚 原 誠
出願人/特許権者： アイシン精機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-247999
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198864
出願日： 1991年09月26日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【構成】 基板1上に形成された磁気抵抗膜3の電極部分3aの表面上に中間金属膜が形成され、該中間金属膜の表面上に電極膜が形成され、前記磁気抵抗膜3の前記電極部分3a及び前記中間金属膜の面積が前記電極膜の面積以上からなる磁気抵抗素子において、前記中間金属膜として状態図の( Ni30 Cr70)99Si1 ,(Ni30Cr70)94 Si6 ,(Ni90Cr10)90 Si 10,(Ni90Cr10)99 Si1 (添字はそれぞれ at %)の4点で囲まれる組成域のNi-Cr-Si薄膜4を用い、前記電極膜としてFe膜5及びSn膜8を用いたことを特徴とする磁気抵抗素子。【効果】 磁気抵抗膜の電極部分とNi-Cr-Si膜の界面及びNi-Cr-Si膜-Fe膜界面及びFe膜-ハンダ界面の間でハンダが相互に拡散しない。また、Ni-Cr-Si膜は化学的に安定しているため、酸化による剥離が生じない。さらに、Ni-Cr-Si膜により、磁気抵抗素子の抵抗値が温度には全く影響しない。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された磁気抵抗膜の電極部分の表面上に中間金属膜が形成され、該中間金属膜の表面上に電極膜が形成され、前記磁気抵抗膜の前記電極部分及び前記中間金属膜の面積が前記電極膜の面積以上からなる磁気抵抗素子において、前記中間金属膜として状態図の(Ni30Cr70)99Si1 ,(Ni30Cr70)94 Si6 ,(Ni90Cr10)90 Si10 ,(Ni90Cr10)99 Si1 (添字はそれぞれ at %)の4点で囲まれる組成域のNi-Cr-Si薄膜を用い、前記電極膜としてFe膜を用いたことを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/06 ,  H01L 43/10