特許
J-GLOBAL ID：200903091760973166
表面処理方法および装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-239504
公開番号（公開出願番号）：特開2000-054125
出願日： 1998年08月10日
公開日（公表日）： 2000年02月22日
要約：
【要約】【課題】 被処理物に対するイオン照射量を簡単に増大させることができる表面処理方法および装置を提供する。【解決手段】 高周波電源30に直列に挿入したスイッチ34を周期的にオンオフすることによって、高周波電極兼用の支持体8と高周波電極28との間に高周波電力RFを断続して供給して、両者間にプラズマ20を断続して生成する。かつ、タイミング制御回路36によって、スイッチ34のオンオフに同期して、かつスイッチ34よりも5μsec〜3msec遅れてスイッチ26をオンさせることによって、プラズマ20生成開始時点から5μsec後〜3msec後の期間内に、負のパルスバイアス電圧VB を被処理物6に印加する。
請求項（抜粋）：
真空容器内において被処理物の近傍にプラズマを生成し、かつ被処理物に負のパルスバイアス電圧を印加して、前記プラズマ中のイオンを被処理物に入射させる表面処理方法において、前記プラズマを断続して生成し、かつこのプラズマ生成に同期して、しかもプラズマ生成開始時点から5μsec後〜3msec後の期間内に、前記パルスバイアス電圧を前記被処理物に印加することを特徴とする表面処理方法。
IPC (5件)：
C23C 14/48
, C23C 14/54
, H01L 21/3065
, H01J 37/317
, H01L 21/265
C23C 14/48 A
, C23C 14/54 B
, H01J 37/317 Z
, H01L 21/302 A
, H01L 21/265 F
4K029CA13
, 4K029DA02
, 4K029DA04
, 4K029DE00
, 4K029EA06
, 5C034CC07
, 5C034CD07
, 5C034CD10
, 5F004BA04
, 5F004BB12
, 5F004BB13
, 5F004BD06
, 5F004CA03
, 5F004CA06
, 5F004CA08
