半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：林敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-320158
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144185
出願日： 1999年11月10日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】動作するトランジスタと停止状態にあるトランジスタが並列につながった回路において、動作するトランジスタの接合耐圧が停止状態にあるトランジスタの表面ブレ-クダウンよりも低い為に、ESDにより動作するトランジスタが破壊してしまう。【解決手段】動作するトランジスタのドレインをゲ-ト電極で囲んだ。

請求項（抜粋）：

動作するMOSトランジスタと停止状態のMOSトランジスタが並列につながっている回路において、動作するMOSトランジスタのドレインがゲ-ト電極で囲まれていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 27/08 102 B , H01L 27/04 H , H01L 27/08 102 F , H01L 29/78 301 K , H01L 29/78 301 G

Fターム (33件)：

5F038BH07 , 5F038BH09 , 5F038BH12 , 5F038BH15 , 5F038EZ13 , 5F038EZ20 , 5F040DA24 , 5F040DB01 , 5F040DC01 , 5F040EC07 , 5F040EE05 , 5F040EF02 , 5F040EF14 , 5F040EF18 , 5F040EK01 , 5F040EM01 , 5F040FB01 , 5F048AA02 , 5F048AA05 , 5F048AB07 , 5F048AB10 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BC03 , 5F048BC06 , 5F048BC07 , 5F048BD04 , 5F048BG12 , 5F048CC04 , 5F048CC08 , 5F048CC16 , 5F048CC18

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭62-069660
特開平4-369270
特開平2-058274

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