特許

J-GLOBAL ID：200903091766908625

半導体受光素子

発明者： 菅 和彦 ,  池田 英治 ,  森 雅之 ,  片桐 圭司
出願人/特許権者： 日本鉱業株式会社
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-232359
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048138
出願日： 1991年08月20日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 高いレベルの入射光に対し低いバイアス電圧でも応答の速い光検出が可能なPINフォトダイオードを提供する。【構成】 半導体基板1上に形成された第1の導電型の半導体層からなる光吸収層3の上に、該光吸収層よりも禁制帯幅の大きな第1の導電型の半導体層からなり表面が保護膜7で覆われてなるキャップ層4が形成されているとともに、該キャップ層の一部には受光部となる第2の導電型の拡散領域6が形成され、この拡散領域に対応して上記保護膜7に光が透過可能な窓部が形成されかつ受光部の表面の一部には電極8aが接触されてなる受光素子において、上記光吸収層3はキャップ層4との接合面側から内部に向かって徐々に第1の導電型の不純物濃度が増加するようにした。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1の導電型の半導体層からなる光吸収層の上に、該光吸収層よりも禁制帯幅の大きな第1の導電型の半導体層からなり表面が保護膜で覆われてなるキャップ層が形成されているとともに、該キャップ層の一部には受光部となる第2の導電型の拡散領域が形成され、この拡散領域に対応して上記保護膜に光が透過可能な窓部が形成されかつ受光部の表面の一部には電極が接触されてなる受光素子において、上記光吸収層はキャップ層との接合面側から内部に向かって徐々に第1の導電型の不純物濃度が増加するように形成されていることを特徴とする半導体受光素子。