特許

J-GLOBAL ID：200903091771703535

被膜形成用塗布液、絶縁膜及びその製造方法ならびに半導体装置

発明者： 並木 崇久 ,  中田 義弘 ,  杉浦 巌
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (5件)： 石田 敬 ,  吉田 維夫 ,  鶴田 準一 ,  西山 雅也 ,  樋口 外治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-051137
公開番号（公開出願番号）：特開2004-260076
出願日： 2003年02月27日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

【課題】高集積度の半導体装置において、デュアルダマシン法のようなコントロールエッチング工程を含む半導体形成プロセスにおいて好適な低誘電率絶縁膜形成用塗布液を提供すること。【解決手段】塗布液が、第1の被膜形成成分と、前記第1の被膜形成成分と比較して、分子の極性が大きくかつ成膜時にエッチング耐性が小さくなる第2の被膜形成成分とを少なくとも含んでなるように構成する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

第1の被膜形成成分と、前記第1の被膜形成成分と比較して、分子の極性が大きくかつ成膜時にエッチング耐性が小さくなる第2の被膜形成成分とを少なくとも含んでなることを特徴とする被膜形成用塗布液。

IPC (2件)：

H01L21/768 ,  H01L21/312

FI (3件)：

H01L21/90 Q ,  H01L21/312 M ,  H01L21/90 A

Fターム (56件)：

5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK18 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033QQ54 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX24 ,  5F058AA10 ,  5F058AD05 ,  5F058AD09 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG07 ,  5F058AG09 ,  5F058AH02 ,  5F058AH10