特許
J-GLOBAL ID：200903091775816253

半導体装置の製造装置

発明者：
大音 光市

大音 光市 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-060787
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260764
出願日： 1999年03月08日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】 熱分解炉を用いることなく、簡単な構成によって成膜レートを向上させることのできる半導体装置の製造装置を提供する。【解決手段】 キシリレンダイマー18が収納されたソース容器8と成膜室1の間のソースガス経路内にプラズマ発生装置13を設置する。ソース容器8で加熱されたキシリレンダイマー18は気化し、プラズマ発生装置13へ送られる。プラズマ発生装置13では、上部電極13bと下部電極13cの間に高周波電源13dの出力が印加され、プラズマ発生装置13内にはプラズマが生じている。プラズマ発生装置13に導入されたソース容器8からのソースガスはプラズマの励起によって分解され、キシリレンのモノマーが形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板が配設された成膜室にソースガスを導き、CVD(Chemical Vapor Deposision)法により前記半導体基板上に絶縁膜を成膜する半導体装置の製造装置において、前記成膜室に至るソースガスの供給経路内、又は前記成膜室の前記ソースガスの取り込み部にて前記ソースガスをプラズマ雰囲気にて分解することを特徴とする半導体装置の製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/312 ,  H01L 21/31
FI (2件)：
H01L 21/312 A ,  H01L 21/31 C
Fターム (15件)：
5F045AA08 ,  5F045AA10 ,  5F045AB39 ,  5F045AC16 ,  5F045AE21 ,  5F045BB09 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045EC09 ,  5F045EH05 ,  5F045EH13 ,  5F058AA10 ,  5F058AC10 ,  5F058AF02 ,  5F058AH02
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 特開昭57-013746
  • 特開昭58-165329
  • 特開平2-240266
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