特許

J-GLOBAL ID：200903091778314909

半導体ウェハのベーク方法及びベーク装置

発明者： 栗原 雅宏 ,  田宮 洋一郎 ,  金井 昭司 ,  上原 美千代 ,  広田 信吉 ,  黒岩 慶造
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-308943
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161619
出願日： 1993年12月09日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】 ホトリソグラフィ工程におけるホトレジストの加工形状を改善する。【構成】 半導体ウェハの主面側と裏面側とに熱源を設け、高湿環境下で、主面に塗布されたホトレジストをベークする。プリベークでは、アルカリ性水溶液を用い、露光後現像前のベークでは、純水を用いベーク装置に載置した半導体ウェハのホトレジストに水分を供給しながら、半導体ウェハのベークを行う。【効果】 プリベークでは、残存する有機溶剤の濃度が、表面付近では低く下地付近では高くなり、表面付近の溶解性が低下し、下地付近では向上するので、膜減り及びレジスト残りが減少する。露光後現像前のベークでは、レジスト表面が親水性となり現像液の拡散が円滑となる。工程数を増加させずにアルカリ処理を行なうことができる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハに塗布したホトレジストをベークするベーク方法であって、気化状態の水分をレジスト表面に供給することによって高湿雰囲気下でレジストを加熱してベークを行なうことを特徴とする半導体ウェハのベーク方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 ,  G03F 7/40 501

FI (2件)：

H01L 21/30 566 ,  H01L 21/30 567