特許

J-GLOBAL ID：200903091781789535

CMPプロセス用研磨液

発明者： 中野 智治
出願人/特許権者： 三洋化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-198262
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234315
出願日： 2002年07月08日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：

【要約】【課題】 優れた研磨特性を安定して発揮しうるCMPプロセス用研磨液を提供する。【解決手段】 研磨材と水系溶媒とを含有してなり、下記の研磨速度測定法により測定した研磨速度(R)と研磨ヘッド圧力(P)とを直線(T)が式(1)で表されることを特徴とするCMPプロセス用研磨液を用いる。 R=aP+A(1)ただし、Aは-900以上500以下であり、aは50以上500以下である。<研磨速度測定法>特定の方法で作成した酸化珪素膜を表面に有するシリコンウェハーを研磨ヘッドに保持し、このシリコンウェハーを研磨定盤に保持した研磨パッドに研磨ヘッド圧力5〜20kPaで押し付け、研磨パッド上に研磨液を供給しながら、研磨定盤と研磨ヘッドをそれぞれの回転速度で回転させながら1分間研磨する。研磨前後のシリコンウェハーについて、49箇所の膜厚の平均値を求め、平均膜厚の差を各研磨ヘッド圧力における研磨速度(Å/分)とする。

請求項（抜粋）：

研磨材と水系溶媒とを含有してなり、下記の研磨速度測定法により測定した研磨速度(R)<Å/分>と研磨ヘッド圧力(P)<kPa>とを線形近似法により近似した直線(T)が下記一般式(1)で表されることを特徴とするCMPプロセス用研磨液。一般式R=aP+A (1)但し、Aは-900以上500以下であり、aは50以上500以下である。<研磨速度測定法>テトラエトキシシラン(TEOS)-プラズマCVD法で作成した酸化珪素膜(厚さ15,000Å)を表面に有する直径8インチのシリコンウェハーを研磨ヘッドに保持し、このシリコンウェハーを研磨定盤に保持した研磨パッドに研磨ヘッド圧力5,10,15又は20kPaで押し付け、該研磨パッド上に25°Cの研磨液を200ml/分で供給しながら、研磨定盤を回転速度58rpmで、研磨ヘッドを回転速度60rpmで回転させながら1分間研磨する。研磨前及び各研磨ヘッド圧力で研磨後のシリコンウェハーについて、それぞれ中心部及び同心円状に位置する49箇所の膜厚を光干渉膜厚測定装置により測定し算術平均値を求め、これらの研磨前後での平均膜厚の差を各研磨ヘッド圧力における研磨速度(Å/分)とする。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 621 ,  B24B 37/00 ,  B24B 57/02 ,  C09K 3/14 550

FI (5件)：

H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 621 D ,  B24B 37/00 H ,  B24B 57/02 ,  C09K 3/14 550 D

Fターム (8件)：

3C047FF08 ,  3C047GG20 ,  3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CA01 ,  3C058CB02 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12