特許

J-GLOBAL ID：200903091783395925

配線基板の製造方法

発明者： 清水 範征 ,  中原 光一
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-328946
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148561
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】メタライズ配線層と銅めっき層との間に空隙が形成されて密着強度が弱く、銅めっき層に熱が作用した時、フクレ等の不具合が生じる。【解決手段】絶縁基体1の表面に形成されたタングステン、モリブデン、マンガンの少なくとも1種を主成分とするメタライズ配線層2の露出表面にパラジウム活性を施し、次に前記パラジウム活性を施したメタライズ配線層2の露出表面に、次亜リン酸塩を還元剤として使用するリン系無電解銅めっき液により1次銅めっき層6を被着形成し、最後に前記1次銅めっき層6の露出表面に、ホルマリンまたはグリオキシル酸を還元剤として使用する無電解銅めっき液により2次銅めっき層7を被着形成する。

請求項（抜粋）：

(1)絶縁基体と、該絶縁基体の表面に形成されたタングステン、モリブデン、マンガンの少なくとも1種を主成分とするメタライズ配線層とから成る配線基板を準備するとともに前記メタライズ配線層の露出表面にパラジウム活性を施す工程と、(2)前記パラジウム活性を施したメタライズ配線層の露出表面に、次亜リン酸塩を還元剤として使用するリン系無電解銅めっき液により1次銅めっき層を被着形成する工程と、(3)前記1次銅めっき層の露出表面に、ホルマリンまたはグリオキシル酸を還元剤として使用する無電解銅めっき液により2次銅めっき層を被着形成する工程とから成る配線基板の製造方法。

IPC (5件)：

H05K 3/24 ,  H01L 23/13 ,  H01L 23/12 ,  C23C 18/40 ,  H01L 21/288

FI (5件)：

H05K 3/24 C ,  C23C 18/40 ,  H01L 21/288 M ,  H01L 23/12 C ,  H01L 23/12 H

Fターム (29件)：

4K022AA04 ,  4K022AA42 ,  4K022BA08 ,  4K022BA18 ,  4K022CA04 ,  4K022CA07 ,  4K022CA21 ,  4K022DA01 ,  4K022DB06 ,  4M104BB04 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104DD51 ,  4M104DD53 ,  4M104FF13 ,  4M104HH08 ,  5E343AA24 ,  5E343BB14 ,  5E343BB16 ,  5E343BB24 ,  5E343BB39 ,  5E343BB40 ,  5E343BB72 ,  5E343CC73 ,  5E343CC78 ,  5E343DD03 ,  5E343DD33 ,  5E343GG01 ,  5E343GG02