特許
J-GLOBAL ID：200903091786541418
光電変換素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶山 佶是 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-257386
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085075
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 液漏れせず、しかも、光電変換特性が低下しない光電変換素子を提供する。【解決手段】 少なくとも、一方の面上に金属酸化物半導体層が被着された電極と、この電極の前記金属酸化物半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記金属酸化物半導体層と対電極との間に配置された電解質層とを有する光電変換素子において、前記電解質層として、少なくとも、架橋性物質、溶媒及び酸化還元系構成物質からなる電解液をその場で重合させることにより生成された架橋ゲル状ポリマーを使用する。
請求項（抜粋）：
少なくとも、一方の面上に金属酸化物半導体層が被着された電極と、この電極の前記金属酸化物半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記金属酸化物半導体層と対電極との間に配置された電解質層とを有する光電変換素子において、前記電解質層は、少なくとも、架橋性物質、溶媒及び酸化還元系構成物質からなる電解液をその場で重合させることにより生成された架橋ゲル状ポリマーからなることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
5F051AA14
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032BB07
, 5H032EE16
, 5H032HH05
