特許

J-GLOBAL ID：200903091787423702

超伝導構造の特徴付け及び計測

発明者： イリーヘフ エフゲニ ,  グラユカル ミロスラフ ,  ザゴスキン アレクサンドル エム ,  ステイニンガー マイルズ エフ エイチ
出願人/特許権者： ディー-ウェイヴ システムズ インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  今城 俊夫 ,  西島 孝喜
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-553275
公開番号（公開出願番号）：特表2005-513600
出願日： 2002年12月18日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

本発明の実施形態に従って、超伝導位相キュビットの特徴付け及び計測のための方法、及び機構を開示する。1つのジョセフソン接合、又は超伝導ループで繋がるジョセフソン接合の集合から構成される位相キュビットは、本発明の実施形態により計測される。誘電結合が作られ得るループを持つ他のキュビットもまた、本発明の実施形態により計測、及び特徴付けされる。幾つかの実施形態では、外部磁束の関数としての、超伝導構造の非線形インダクタンスの計測は、超伝導位相キュビットの特性についての情報を生み出すことができる。特に、超伝導位相キュビットのエネルギー状態についての情報を定めることができる。

請求項（抜粋）：

磁束キュビット又は位相キュビットに誘電的に結合されたタンク回路、 を備えることを特徴とする構造。

IPC (2件)：

G06F7/48 ,  H01L39/22

FI (2件)：

G06F7/48 S ,  H01L39/22 Z

Fターム (8件)：

4M113AB11 ,  4M113AC08 ,  4M113AC45 ,  4M113AD36 ,  4M113BC04 ,  4M113CA12 ,  4M113CA13 ,  5B016GA04