特許

J-GLOBAL ID：200903091796551551

誘電体膜キャパシタおよびその製造方法

発明者： 篠田 智隆 ,  山田 欣司 ,  北野 高広 ,  山西 良樹 ,  原田 宗生 ,  川口 達三 ,  廣田 良浩 ,  奥村 勝弥
出願人/特許権者： JSR株式会社 ,  東京エレクトロン株式会社 ,  株式会社オクテック
代理人 (3件)： 大渕 美千栄 ,  布施 行夫 ,  井上 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-242473
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059583
出願日： 2005年08月24日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：

【課題】誘電体膜キャパシタにおいて、下部電極とこの下の層との密着性が良く、酸化されにくく熱的に安定な電極機構を提供する。【解決手段】誘電体膜キャパシタ20は、白金を含む材料からなる、膜厚10〜100nmの下部電極22と、下部電極22の上方に設けられた、ABOx型ペロブスカイト構造を有する酸化物を含む誘電体膜24と、誘電体膜24の上方に設けられた上部電極26と、を含む。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

白金を含む材料からなる、膜厚10〜100nmの下部電極と、 前記下部電極の上方に設けられた、ABOx型結晶構造を有する酸化物を含む誘電体膜と、 前記誘電体膜の上方に設けられた上部電極と、 を含む、誘電体膜キャパシタ。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01G 4/12 ,  H01G 4/33

FI (4件)：

H01L27/10 444C ,  H01G4/12 397 ,  H01G4/12 400 ,  H01G4/06 102

Fターム (31件)：

5E001AB06 ,  5E001AC10 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AH01 ,  5E001AH02 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E082AB03 ,  5E082BC32 ,  5E082BC38 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG46 ,  5E082PP02 ,  5E082PP09 ,  5F083FR01 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33

引用特許：

出願人引用 (4件)

• キャパシタを有する半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-207033   出願人：富士通株式会社
• 薄膜高誘電体キャパシタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-143457   出願人：新日本無線株式会社
• 誘電体薄膜キャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-312871   出願人：株式会社村田製作所
• 誘電体薄膜キャパシタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-190056   出願人：株式会社村田製作所

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-345751   出願人：富士通株式会社
• 薄膜高誘電体キャパシタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-143457   出願人：新日本無線株式会社
• 検出器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-305417   出願人：株式会社山武
• 誘電体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-065790   出願人：オリンパス光学工業株式会社