特許
J-GLOBAL ID：200903091800245541
電界効果トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-031128
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235047
出願日： 1992年02月19日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 GaAsまたはInGaAsをチャネルに用いた電界効果トランジスタにおいて、高信頼かつ高耐圧かつ高出力で高効率、しかも表面欠陥準位の影響を受けない電界効果トランジスタを容易に再現性良く作製する製造方法を与える。【構成】 n形GaAsチャネル層又はn形InGaAsチャネル層上のソース及びドレイン電極領域にオーミック電極を設け、ソース及びドレイン電極からゲート電極に向って深くなるようにリセスエッチングし、そのリセスエッチングされたチャネル上にゲート電極を設け、その後不純物無添加GaAs層又は不純物無添加AlGaAs層又は不純物無添加InAlAs層を原子層エピタキシャル成長法により400°C以下で形成する。
請求項（抜粋）：
n形GaAsチャネル層又はn形InGaAsチャネル層上のソース及びドレイン電極領域にオーミック電極を設ける工程と、ソース及びドレイン電極からゲート電極に向って深くなるようにリセスエッチングする工程と、リセスエッチングされたチャネル上にゲート電極を設ける工程と、その後不純物無添加GaAs層又は不純物無添加AlGaAs層又は不純物無添加InAlAs層を原子層エピタキシャル成長法により400°C以下で形成する工程とを含むことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/205
