特許

J-GLOBAL ID：200903091803305138

薄膜表示素子およびその製造方法

発明者： 出野 裕 ,  杉山 修一
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-009065
公開番号（公開出願番号）：特開平10-208619
出願日： 1997年01月22日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】単一原子で構成するとともに、亀裂が入らない薄膜表示素子を提供する。【解決手段】薄膜表示素子の導電層1がグラファイト構造の炭素で、絶縁薄膜2がダイヤモンド構造の炭素で、導電薄膜3が擬一次元構造の炭素でそれぞれ構成される。

請求項（抜粋）：

導電層の表面に絶縁薄膜が形成され、この絶縁薄膜の反導電層側の表面に導電薄膜が形成されてなる薄膜表示素子において、導電層、絶縁薄膜および導電薄膜がすべて炭素原子で構成されてなることを特徴とする薄膜表示素子。

IPC (4件)：

H01J 1/30 ,  G09F 9/30 360 ,  H01J 9/02 ,  H01L 49/02

FI (5件)：

H01J 1/30 M ,  H01J 1/30 A ,  G09F 9/30 360 ,  H01J 9/02 M ,  H01L 49/02